Samsung создает 30 нм чипы LPDDR2 с плотностью 4 и 8 Гбит для мобильных устройств

Samsung LPDDR2

Компанией Samsung Electronics было официально объявлено о разработке и начале выпуска опытных образцов первых в индустрии монолитных чипов памяти LPDDR2 (low power double-data-rate 2) DRAM с плотностью 4 Гбит, которые созданы на основе технологии 30 нм класса. Помимо этого, компанией были представлены и аналогичные чипы с плотностью 8 Гбит, которые разработаны на базе так называемого пакетного дизайна.

По всей видимости, южнокорейская компания  намеривается таким образом удовлетворить все больше возрастающий спрос на все большие объемы памяти в мобильной электронике. Так, например, в смартфонах и планшетных ПК, рабочие частоты новинок от Samsung доходят до 1066 МГц. Если же говорить о предельных частотах значения мобильной памяти DRAM предыдущего поколения, то они более чем в два раза ниже и ограничены 400 МГц.

Все это позволяет говорить о том, что разработки от компании Samsung способны обеспечить новый уровень плотности и производительности памяти DRAM в будущих мобильных устройствах. Вместе с этим, например, новая DRAM с плотностью 8 Гбит, которая включает в себя две 4 Гбит микросхемы, потребляет на 25% меньше энергии, нежели ее предшественник с четырьмя 2 Гбит чипами, а также имеет более тонкий дизайн (0,8 мм против 1 мм). Как уже было сказано, выпуск опытных образцов LPDDR2 с плотностью 4  Гбит уже начался, а 8 Гбит чипы должны выйти в продажу уже до конца декабря.

Добавить комментарий


Кожаные чехлы для планшетов с доставкой по России.