Объем новых чипов памяти Samsung V-NAND составит 128 Гб

Объем новых чипов памяти Samsung V-NAND составит 128 Гб фото

Направляясь в магазин за новым устройством, пользователь со стажем изначально уверен в следующем приобретенный гаджет устареет до того, как он вернется домой. Данное утверждение в полной мере относится к встроенной памяти девайсов: если сейчас 64 Гб воспринимается как «вполне достаточно», то через непродолжительное время этот показатель увеличится в несколько раз.

В 2014 году компания Samsung Electronics собирается увеличить объем flash-памяти флагманских устройств до 128 Гб и выше. Это стало возможным благодаря созданию объемной технологии, используемой Intel при производстве процессоров Haswell.

Если ранее при добавлении новых элементов площадь чипа автоматически увеличивалась, то в настоящее время производителями используется третье измерение: составляющие компоненты выстраиваются по вертикали.

Samsung Electronics создали чипы flash-памяти, состоящие из «уложенных» друг на друга 24 модулей NAND, благодаря чему на одном кристалле можно разместить больше ячеек памяти. Помимо увеличения объема использование новой технологии увеличивает быстродействие чипов.

Объемы V-NAND (V-Vertical) чипов Samsung начинаются от 128 Гб, максимальная отметка — 1 Тб. Необходимо добавить, что Samsung Electronics осваивает производство новых чипов flash-памяти и уже отправили образцы продукции возможным партнерам.

Как сообщается в пресс-релизе, Samsung готов начать серийное производство новых модулей V-NAND. Таким образом, первые смартфоны и планшетные компьютеры со 128 Гб и более встроенной памяти могут появиться в продаже в начале 2014 года.

Добавить комментарий